WIN Semiconductors ile yaptığımız anlaşmayla 0.25 um GaN tasarım kütüphanelerini laboratuvarımızda kullanmaya başladık.
GaN teknolojisi yüksek güç yoğunluğu ve yüksek ısıl iletkenliğinden dolayı yüksek güçlü RF uygulamalarda sık kullanılan bir yarıiletken teknolojisidir. 1 mm toplam geçit genişliği ile X-Bantta yaklaşık 5W güç alınabilmektedir.
İlk aşamada doktora ve yüksek lisans öğrencileri ile başta güç kuvvetlendiricileri olmak üzere LNA ve RF anahtar gibi konularda çalışmalar yapacağız.
İlerleyen süreçte MMIC tasarımı konulu proje ve ödevlerin yüksek frekans elektroniği derslerinde de verilerek bütün öğrencilere yeni teknolojilerle tasarım teknikleri öğretmeyi planlamaktayız.
2017 sonuna kadar ilk devrelerimizi tamamlayarak üretime hazırlamayı hedefledik!